Kiire lülitiga türistor (kõrge standardne YC-seeria)

Kirjeldus

GE tootmisstandardit ja töötlemistehnoloogiat tutvustas ja kasutas RUNAU Electronics alates 1980. aastatest.Täielik tootmis- ja katsetingimused langesid täielikult kokku USA turu nõuetega.Hiinas türistorite tootmise pioneerina oli RUNAU Electronics pakkunud riiklike jõuelektroonikaseadmete kunsti USA-le, Euroopa riikidele ja ülemaailmsetele kasutajatele.See on kõrgelt kvalifitseeritud ja klientide poolt hinnatud ning partneritele loodi rohkem suuri võite ja väärtust.

Sissejuhatus:

1. Kiip

RUNAU Electronicsi toodetud türistorkiibil on kasutatud paagutatud legeerimistehnoloogiat.Räni- ja molübdeenvahvel paagutati legeerimiseks puhta alumiiniumiga (99,999%) kõrgvaakumi ja kõrge temperatuuriga keskkonnas.Paagutamisomaduste määramine on türistori kvaliteeti mõjutav võtmetegur.RUNAU Electronicsi oskusteave lisaks sulami ristmiku sügavuse, pinna tasasuse, sulami õõnsuse ning täieliku difusioonioskuse, rõngasringi mustri, spetsiaalse väravastruktuuri haldamiseks.Spetsiaalset töötlust kasutati ka seadme kandja eluea vähendamiseks, nii et sisemise kandja rekombinatsiooni kiirus on oluliselt kiirenenud, seadme pöördtaastelaeng väheneb ja lülituskiirus paraneb sellest tulenevalt.Selliseid mõõtmisi rakendati kiirete lülitusomaduste, sisselülitatud oleku omaduste ja liigvoolu omaduste optimeerimiseks.Türistori jõudlus ja juhtivus on usaldusväärne ja tõhus.

2. Kapseldamine

Molübdeenvahvli ja välispakendi tasasuse ja paralleelsuse range kontrollimisega integreeritakse kiip ja molübdeenvahv välispakendiga tihedalt ja täielikult.See optimeerib liigvoolu ja suure lühisevoolu takistust.Räniplaadi pinnale paksu alumiiniumkile loomiseks kasutati elektronide aurustumistehnoloogia mõõtmist ja molübdeeni pinnale kaetud ruteeniumikiht suurendab oluliselt termilise väsimuskindlust, kiirelt lülituva türistori tööiga pikeneb märkimisväärselt.

Tehniline spetsifikatsioon

1. RUNAU Electronicsi toodetud sulamitüüpi kiibiga kiirlülitusega türistor, mis suudab pakkuda USA standardile vastavaid täielikult kvalifitseeritud tooteid.
2. I_GT, V_GTja mina_Hon katse väärtused temperatuuril 25 ℃, kui pole teisiti märgitud, on kõik muud parameetrid testi väärtused punktis T_jm;
3. I²t = I²F SM×tw/2, tw = Sinusoidaalse poollaine voolu baaslaius.50 Hz juures ma²t = 0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz juures: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms) × 0,943,T_j=T_jm

Parameeter: