Faasikontrolli türistor (legeeriv tüüp)

Kirjeldus:

Türistor, tuntud ka kui Silicon Control Rectifier (SCR), on suure võimsusega pooljuhtseade, mis koosneb kolmest PN-struktuurist.Jõudluse poolest ei ole türistoril mitte ainult ühesuunaline juhtivus, vaid ka väärtuslikum juhitavus kui räni alaldi element, millel on ainult kaks juhtivusolekut ja väljalülitatud olek, suure võimsuse juhtimiseks väikese võimsusega, võimsusvõimendus kuni sadu või tuhandeid kordi.Reaktsioon on väga kiire, lülitub sisse ja välja mikrosekundite jooksul.Kontaktivaba töö, sädemeteta, müravaba, samas kõrge efektiivsuse ja madala hinnaga.Seetõttu on türistorit eriti suure võimsusega toitesüsteemis laialdaselt kasutatud alaldi vooluringis, staatilises möödaviigulülitis, kontaktivabas väljundlülitis ja muudes vooluahelates.

RUNAU Electronics'i türistori valmistamise standard ja töötlustehnoloogia toodi USA-st alates 1980. aastatest, Hiinas türistorite valmistamise pioneerina oli RUNAU tehniline meeskond omandanud tippteadmised ja laialdased tootmiskogemused üle 30 aasta.Traditsioonilise tootmisprotsessi alusel on RUNAU Electronicsi talenttehnikud välja töötanud tipptasemel tehnoloogia türistorite valmistamisel, millel on Euroopa toodete eelised, kvaliteet ja jõudlus paranevad oluliselt, jõuelektroonika rakendamisel saavutati rohkem suuri võite. väljadele ja loodi partneritele rohkem väärtust.

Sissejuhatus:

1. Kiip

RUNAU Electronicsi toodetud türistorkiibil on kasutatud paagutatud legeerimistehnoloogiat.Räni- ja molübdeenvahvel paagutati legeerimiseks puhta alumiiniumiga (99,999%) kõrgvaakumi ja kõrge temperatuuriga keskkonnas.Paagutamisomaduste määramine on türistori kvaliteeti mõjutav võtmetegur.RUNAU Electronicsi oskusteavet rakendati lisaks sulami ristmiku sügavuse, pinnatasasuse, sulami õõnsuse ning täieliku difusioonioskuse, keskvärava, rõngasringi mustri haldamisele, et võimaldada türistori usaldusväärset ja tõhusat juhtivust. tagada kõrge kvaliteediga jõudlus.

2. Kapseldamine

Molübdeenvahvli ja välispakendi tasasuse ja paralleelsuse range kontrollimisega integreeritakse kiip ja molübdeenvahv välispakendiga tihedalt ja täielikult.See optimeerib liigvoolu ja suure lühisevoolu takistust.Räniplaadi pinnale paksu alumiiniumkile loomiseks kasutati elektronide aurustamise tehnoloogia mõõtmist ja molübdeeni pinnale kaetud ruteeniumikiht suurendab oluliselt termilise väsimuskindlust, türistori tööiga pikeneb märkimisväärselt.

Tehniline spetsifikatsioon

1. Faasijuhtimisega türistor legeeritud tüüpi kiibiga, mida toodab RUNAU Electronics, vahemik I_TAV300A kuni 6000A ja V_DRM/V_RRM800V kuni 4400V.
2. I_GT, V_GTja mina_Hon katse väärtused temperatuuril 25 ℃, kui pole teisiti märgitud, on kõik muud parameetrid testi väärtused punktis T_jm;
3. I²t = I²F SM×tw/2, tw = Sinusoidaalse poollaine voolu baaslaius.50 Hz juures ma²t = 0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz juures: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms) × 0,943,T_j=T_jm

Parameeter: